پاورپوینت کامل و جامع با عنوان فرآیندهای کاشت یون در نیمه هادی ها در 31 اسلاید - دانلود فایل

دانلود فایل پاورپوینت کامل و جامع با عنوان فرآیندهای کاشت یون در نیمه هادی ها در 31 اسلاید

دانلود فایل پاورپوینت کامل و جامع با عنوان فرآیندهای کاشت یون در نیمه هادی ها در 31 اسلاید

کاشت یون (به انگلیسی: ion implantation) فرایندی در مهندسی مواد است که در آن یون های برخی مواد را می توان در ماده ای دیگر کاشت و ویژگی های فیزیکی آن ماده را تغییر داد. این فرایند در ساخت نیمه رساناها و پرداخت فازها کاربرد دارد.
برای کاشت یون، نیاز به یک منبع یون است که با به بکاربردن شتاب دهنده ذره ای یون ها را می توان با سرعت زیاد روی سطح مورد نیاز کاشت. هر یون یک اتم یا مولکول است بنابراین مقدار یون انباشت شده روی سطح برابر با انتگرال جریان بر حسب زمان خواهد بود و به این مقدار دز گفته می شود. از آنجاکه در کاشت یون جریان در حد میلی آمپر است، دز یون کاشته شده مقدار کمی ست.
انرژی یون های تابشی پیرامون ۱۰ تا ۵۰۰ کیلو الکترون ولت است. انرژی یون، مادهٔ یون و سطح تعیین گر میزان عمق نفوذ یون روی سطح اند و بین ۱۰ نانومتر تا ۱ میکرومتر است.
کاربردهادوپینگمهمترین کاربرد کاشت یون افزودن ناخالصی به نیمه رساناها برای افزایش رساناییشان است. یون عنصرهایی مانند فسفر، بور و آرسنیک بصورت گازی از تهیه و روی نیمه رساناهای سیلیسیومی کاشته می شوند. همچنین در ساخت اتصال P-N نیز کاشت یون بکار گرفته می شود.
مزوتکسیمزوتکسی Mesotaxy فرایند رشد دادن بلوری یک لایه زیر یک زیرلایه است که از لحاظ بلوری با هم جورند (در مقایسه با اپیتکسی که در آن یک لایه روی زیرلایه رشد داده می شود). برای ساخت لایه مزوتکسی، یون های پرانرژی به سطح تابانده می شوند و با کنترل دما از تغییر در ساختار بلوری زیرلایه جلوگیری می شود.
پرداخت سطحی و افزایش چقرمگی فولاد ابزاربا کاشت یون روی سطح فولاد ابزار، یک لایه دارای تنش پسماند فشاری روی سطح ایجاد می شود که جلوی رشد ترک را گرفته و مقاومت به شکست خوردگی ابزار را افزایش می دهد. یکی از رایج ترین یون های بکاررفته در این فرایند یون نیتروژن است.
معایباز آنجا که برخورد یون ها به سطح عیب هایی را در ساختار مادهٔ پایه ایجاد می کنند، نمونه ای که در آن کاشت یون انجام شده آنیل می شود تا عیب های آن از بین بروند. از عیب های رایج می توان ایجادجای خالی، آمورف شدن سطح بلوری مادهٔ پایه را نام برد.

فهرست مطالب:
مزایای فرآیند کاشت یونی
معایب فرآیند کاشت یونی
تصویر کلی از دستگاه کاشت یونی
Analyzing Magnet
Acceleration Column
Target
مکانیزم توقف یون
شبیه سازی حرکت یون در زیر بنا
انواع حالت های توقف
دامنه توزیع
لیست دامنه توزیع و انحراف استاندارد اتم بور در مواد مختلف
مقایسه پروفایل های نفوذ بروم در سیلیکون در انرژی های مختلف
نمایش توزیع فسفر در سیلیکون به صورت سه بعدی و دو بعدی
آسیب دیدن شبکه
تابکاری
کانال زنی
حل مشکل کانال زنی
ایجاد سایه در ناحیه رشد
مقایسه فرآیند کاشت یونی و نفوذ

کاشت

یون

نفوذ

نیمه هادی

دوپینگ

تابکاری

کانال زنی

تونل زنی

شبکه

سایه

مقاله